Chips láser de diodo de 75W y 905nm
Detalles rápidos:
Se utiliza una sección emisora de luz-de 4-capas, con un tamaño de emisión de luz de 300 μm x 16 μm y una eficiencia de conversión fotoeléctrica del 41 %.
El ángulo de divergencia del eje rápido es de 30 grados y el ángulo de divergencia del eje lento es de 10 grados.
Cabe destacar especialmente que este chip tiene una excelente resistencia a altas temperaturas.
La prueba de temperatura de 25 grados C a 125 grados C es pesada. Por cada aumento de 10 grados C, la potencia se reduce un 4%.
Aplicaciones:
Lídar láser
Aplicación médica
Iluminación láser
Comunicación óptica en espacio libre.
bombeo industrial
Ficha de datos:
Número de artículo: LC905SM75
| Operación | |
| Longitud de onda central | 905nm |
| Potencia de salida | 75W |
| Modo de operación | QCW |
| Geométrico | |
| Ancho del emisor | 135um |
| Longitud de la cavidad | 1000um |
| Espesor de la cavidad | 125um |
| Ancho de la cavidad | 400um |
| Datos electroópticos | |
| Corriente umbral | 0.68A |
| Corriente de funcionamiento | 20A |
| Voltaje de funcionamiento | 6.3V |
| Eficiencia de pendiente | 3.2W/A |
| Divergencia del eje lento | 9 |
| Divergencia rápida del eje | 27 |
| Ancho espectral | 4nm |
| Polarización | TE |
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