1800W 808nm Horizontal Stack Diode Laser
Alta potencia 1800W 808nm Conducción Refrigerada QCW Pila Diodo Laser Bar
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Ventajas:
Larga vida útil
Alta potencia
Alta estabilidad
Vinculación AuSn
Aplicaciones:
Bombeo
Industria
Médico
Imprenta
Características técnicas
| Artículo No.: LD808G1800 | |
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Nombre del artículo: 1800W 808nm QCW Conducción Enfriada Pila Diodo Laser Bar |
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| Óptico | |
| Longitud de onda central λ | 808 nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ±5nm |
| Modo de trabajo | QCW |
| Potencia de salida por barra | 50W |
| Número de bares | 18 |
| Espaciado de barra a barra | 1,8 mm |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 35Discos |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 8Depantos |
| Eléctrico | |
| Funcionamiento de la PIO actual | ≤30A |
| Umbral actual Ith | ≤30A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | ≤90V |
| Eficiencia de conversión de energía | ≥42% |
| Termal | |
| Temperatura de funcionamiento | 20 ~ 30 ° C |
| Temperatura de almacenamiento | 0-55°C |
| Refrigerante | Agua desionizada |
Embalaje
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