Hangzhou Brandnew Technology Co., Ltd. es uno de los principales fabricantes y proveedores principales de China de diodos verticales avanzados de matriz vcsel de 808 nm y 1200 w. Con una fábrica-de-moderna-tecnología, nos especializamos en todo el espectro de producción: desde chips de alto-rendimiento, soportes TO/F/C, COS y barras MCC, hasta pilas robustas y soluciones avanzadas-con fibra acoplada.
Diodo vertical de matriz VCSEL de 808 nm y 1200 W
Características:
- Banda infrarroja de 808 nm, salida total de alta potencia de 1200 W,
- Montado con estructura de matriz de 12 chips integrados
- Diseño VCSEL de emisión vertical, ángulo de divergencia pequeño
Aplicaciones:
- Sistema de calefacción por infrarrojos de alta potencia: proporciona radiación infrarroja uniforme-en áreas extensas para un calentamiento industrial rápido y un tratamiento térmico de materiales.
- Fototerapia de área grande de belleza médica: ampliamente utilizada en el cuidado de la piel del cuerpo, fisioterapia infrarroja y equipos para disolver grasas.
- Luz de relleno de visión nocturna industrial de alta-definición: se aplica al monitoreo exterior, visión nocturna de vehículos e iluminación suplementaria infrarroja de gran-rango.

Este diodo de matriz VCSEL de alta-potencia de 808 nm y 1200 W está compuesto por 12 chips en disposición vertical, que ofrecen una potencia combinada súper alta, una emisión de luz vertical regular y un excelente rendimiento de disipación de calor. Posee un estado de funcionamiento estable, una amplia cobertura de irradiación y una larga-vida útil confiable, que puede satisfacer completamente las demandas de calefacción de áreas grandes-, terapia médica infrarroja, luz de relleno de visión nocturna de larga-distancia y detección inteligente de gran-precisión-de largo alcance. Es una fuente de luz infrarroja central de alta-eficiencia y alta-estabilidad ideal para irradiación industrial de alta-potencia y equipos fotoeléctricos comerciales-de área grande.
Ficha de datos
Número de artículo: VC808VS1200
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 808nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ±10 nm |
| Potencia de salida | 1200W |
| Modo de trabajo | QCW |
| Número de chips | 12 |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 22° |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 22° |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 90A |
| Umbral de corriente Ith | 15A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 24V |
| Ancho de pulso | 400ms |
| Frecuencia | <50Hz |
| Ciclo de trabajo | <50% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 20~30 grados |
| Temperatura de almacenamiento | 0*-55 grados |
| refrigerante | Agua destilada |
| Caudal/barra | 3,5-4,5 l/min |
| Presión máxima de entrada | 300~400kPa |
| Temperatura del agua (sin condensación) | 23 ~ 27 grados |
| Partículas de agua filtrada | <20um |
Dibujo:

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