Chip de 40 mW y 795 nm en diodo láser COS de submontaje
Característica:
- Ancho de línea estrecho y emisión estable
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Alta eficiencia de acoplamiento para sistemas ópticos.
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Rendimiento confiable con excelente gestión térmica
Solicitud:
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Instrumentación médica y biomédica.
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investigación científica general
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Investigación sobre enfriamiento y captura por láser
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Monitoreo médico y de accidentes cerebrovasculares
Ficha de datos:
Número de artículo: COS795SM004
Nombre del artículo: Láser de diodo COS de 795 nm y 40 mW
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 795 nm |
| Potencia de salida | 40 mW |
| Ancho de línea | 1MHz |
| Divergencia de campo lejano FWHM | 30 grados |
| Relación de supresión de Moe lateral | 35dB |
| Eléctrico | |
| Umbral actual Lth | 50 mA |
| Caída de corriente de funcionamiento | 150 mA |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 2V |
| Térmico | |
| Temperatura de prueba | 25 grados |
| Temperatura de almacenamiento | -30~70 grados |
Dibujo:
ElChip-en-diodo láser de submontaje (COS) de 40 mW y 795 nmes actualmente elúnico modelo disponible en todo el mundo. Con su emisión estable de 795 nm y su salida confiable de 40 mW, proporciona una solución poco común para aplicaciones como física atómica, espectroscopia e investigación avanzada. Su longitud de onda única y su diseño COS probado lo convierten en una opción confiable para investigadores y desarrolladores de sistemas que necesitan un rendimiento que los diodos láser estándar no pueden ofrecer.
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