Diodo láser de 100mW 532nm para espectroscopia Raman
Estos diodos láser estabilizados de longitud de onda de 532 nm y 100 mW proporcionan una alta potencia de salida de ex fibra a un ancho de línea estrecho, estabilizado por una rejilla de Bragg de volumen.
El diodo láser está optimizado para la espectroscopia Raman, y también se utiliza para aplicaciones de metrología, detección, bioinstrumentación e instrumentación analítica. El láser está empaquetado en un paquete de mariposa de 14 pines estándar de la industria con pinout Tipo-1, e incluye un TEC interno de alta potencia para el control de temperatura y la estabilidad de salida del láser.
Característica:
Diodo láser estabilizado de longitud de onda de 532 nm para aplicaciones de espectroscopia Raman
Volumen Bragg Rejilla (VBG) Estabilizada
Ancho espectral estrecho:< 0.05nm="">
Longitud de onda: 532nm ±0.5nm
Paquete mariposa con refrigerador interno, termistor y fotodiodo
105 μm Fibra, 0.22NA
Conector de fibra: FC / PC
Hoja de datos
Artículo No: FC532DL100
| Óptico | |
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Longitud de onda central |
532 nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ±0,5 nm |
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Potencia de salida |
100mW |
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Fibra |
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Núcleo de fibra |
105um |
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Apertura numérica de fibra |
0,22NA |
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Longitud de la fibra |
1m |
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Conector de fibra |
FC/PC |
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Eléctrico |
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| Corriente de umbral |
1A |
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Corriente de funcionamiento |
0,6A |
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Voltaje de funcionamiento |
2V |
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Termal |
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Temperatura de funcionamiento |
15 ~ 35 ° C |
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Temperatura de almacenamiento |
-20-50°C |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0.01nm/°C |
Dibujo:
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